Comprar SPD04N60C3BTMA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.9V @ 200µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 50W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | SP000013656 SP000083089 SP000313944 SPD04N60C3 SPD04N60C3INTR SPD04N60C3INTR-ND SPD04N60C3T SPD04N60C3XT SPD04N60C3XTINTR SPD04N60C3XTINTR-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SPD04N60C3BTMA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 490pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
Descripción: | MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |