SPB16N50C3
SPB16N50C3
Número de pieza:
SPB16N50C3
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13938 Pieces
Ficha de datos:
SPB16N50C3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 675µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3-2
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:280 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):160W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:SP000014895
SPB16N50C3-ND
SPB16N50C3ATMA1
SPB16N50C3INTR
SPB16N50C3XT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:SPB16N50C3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 560V 16A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:560V
Descripción:MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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