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SPB10N10 G
- Número de pieza:
- SPB10N10 G
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12279 Pieces
- Ficha de datos:
- SPB10N10 G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SPB10N10 G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SPB10N10 G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 21µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 170 mOhm @ 7.8A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 50W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | SP000102168 SPB10N10GXT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SPB10N10 G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 426pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 19.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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