SPB02N60S5ATMA1
SPB02N60S5ATMA1
Número de pieza:
SPB02N60S5ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17764 Pieces
Ficha de datos:
SPB02N60S5ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 80µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3-2
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 1.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:SPB02N60S5INDKR
SPB02N60S5INDKR-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPB02N60S5ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:240pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

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