SNRVBD660CTT4G
SNRVBD660CTT4G
Número de pieza:
SNRVBD660CTT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13381 Pieces
Ficha de datos:
SNRVBD660CTT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:700mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):60V
Paquete del dispositivo:DPAK
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:SWITCHMODE™
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NRVBD660CTT4G
NRVBD660CTT4G-ND
NRVBD660CTT4GOSTR-ND
SNRVBD660CTT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:SNRVBD660CTT4G
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de diodo:Schottky
configuración de diodo:1 Pair Common Cathode
Descripción:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
Corriente - Fuga inversa a Vr:100µA @ 60V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):3A
Email:[email protected]

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