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SN7002N E6327
- Número de pieza:
- SN7002N E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15347 Pieces
- Ficha de datos:
- SN7002N E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SN7002N E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SN7002N E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.8V @ 26µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | SN7002NE6327XT SP000014634 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SN7002N E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 45pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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