Comprar SIS406DN-T1-GE3 con BYCHPS
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		| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA | 
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V | 
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® 1212-8 | 
| Serie: | TrenchFET® | 
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 11 mOhm @ 12A, 10V | 
| La disipación de energía (máximo): | 1.5W (Ta) | 
| embalaje: | Tape & Reel (TR) | 
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® 1212-8 | 
| Otros nombres: | SIS406DN-T1-GE3TR SIS406DNT1GE3 | 
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo de montaje: | Surface Mount | 
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks | 
| Número de pieza del fabricante: | SIS406DN-T1-GE3 | 
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 15V | 
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 28nC @ 10V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Característica de FET: | - | 
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | 
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V | 
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V | 
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK | 
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta) | 
| Email: | [email protected] |