Comprar SIHP14N50D-GE3 con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 400 mOhm @ 7A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 208W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SIHP14N50D-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1144pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 500V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 14A (Tc) |
Email: | [email protected] |