SIE876DF-T1-GE3
SIE876DF-T1-GE3
Número de pieza:
SIE876DF-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19999 Pieces
Ficha de datos:
SIE876DF-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:10-PolarPAK® (L)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:6.1 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):5.2W (Ta), 125W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:10-PolarPAK® (L)
Otros nombres:SIE876DF-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SIE876DF-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3100pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:77nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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