SIB406EDK-T1-GE3
SIB406EDK-T1-GE3
Número de pieza:
SIB406EDK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16049 Pieces
Ficha de datos:
SIB406EDK-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-75-6L Single
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.95W (Ta), 10W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-75-6L
Otros nombres:SIB406EDK-T1-GE3TR
SIB406EDKT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SIB406EDK-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 6A (Tc) 1.95W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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