SIA914ADJ-T1-GE3
SIA914ADJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA914ADJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19007 Pieces
Ficha de datos:
SIA914ADJ-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:43 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Potencia - Max:7.8W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Otros nombres:SIA914ADJ-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SIA914ADJ-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12.5nC @ 8V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

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