Comprar SIA417DJ-T1-GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SC-70-6 |
Otros nombres: | SIA417DJ-T1-GE3TR SIA417DJT1GE3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SIA417DJ-T1-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 4V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 32nC @ 5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 8V |
Descripción: | MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |