Comprar SI7956DP-T1-GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
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Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 105 mOhm @ 4.1A, 10V |
Potencia - Max: | 1.4W |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Otros nombres: | SI7956DP-T1-GE3TR SI7956DPT1GE3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SI7956DP-T1-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
Característica de FET: | Logic Level Gate |
Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 150V |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A |
Email: | [email protected] |