Comprar SI6467BDQ-T1-E3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 850mV @ 450µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-TSSOP |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 1.05W (Ta) |
embalaje: | Original-Reel® |
Paquete / Cubierta: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Otros nombres: | SI6467BDQ-T1-E3DKR |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SI6467BDQ-T1-E3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 70nC @ 4.5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
Descripción: | MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |