SI5475BDC-T1-GE3
SI5475BDC-T1-GE3
Número de pieza:
SI5475BDC-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15239 Pieces
Ficha de datos:
SI5475BDC-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:28 mOhm @ 5.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI5475BDC-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 6A (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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