SI5447DC-T1-E3
SI5447DC-T1-E3
Número de pieza:
SI5447DC-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19798 Pieces
Ficha de datos:
SI5447DC-T1-E3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI5447DC-T1-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI5447DC-T1-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SI5447DC-T1-E3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:450mV @ 250µA (Min)
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:76 mOhm @ 3.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.3W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:SI5447DC-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI5447DC-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 3.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios