SI4682DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4682DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18305 Pieces
Ficha de datos:
SI4682DY-T1-GE3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI4682DY-T1-GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI4682DY-T1-GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SI4682DY-T1-GE3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:9.4 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI4682DY-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1595pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 16A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios