SI4488DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4488DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18867 Pieces
Ficha de datos:
SI4488DY-T1-GE3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI4488DY-T1-GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI4488DY-T1-GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SI4488DY-T1-GE3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.56W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4488DY-T1-GE3TR
SI4488DYT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI4488DY-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 150V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios