SI4420DY,518
Número de pieza:
SI4420DY,518
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19076 Pieces
Ficha de datos:
SI4420DY,518.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:9 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:934056381518
SI4420DY /T3
SI4420DY /T3-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):2 (1 Year)
Número de pieza del fabricante:SI4420DY,518
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:120nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V SOT96-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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