Comprar SI4226DY-T1-GE3 con BYCHPS
Compre con garantía
SI4226DY-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI4226DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19719 Pieces
- Ficha de datos:
- SI4226DY-T1-GE3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI4226DY-T1-GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI4226DY-T1-GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 3.2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SI4226DY-T1-GE3TR SI4226DYT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SI4226DY-T1-GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1255pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI4226DY-T1-GE3
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
AON2802 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN | Investigación |
 |
SI4228DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO | Investigación |
|
SI4226DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | Investigación |
 |
DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | Investigación |
 |
CSD87333Q3D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON | Investigación |
|
SI4228DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | Investigación |
 |
APTC60DSKM70CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Investigación |
 |
IRF7509TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 | Investigación |
|
SI4925BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog