SI3460DV-T1-E3
SI3460DV-T1-E3
Número de pieza:
SI3460DV-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18297 Pieces
Ficha de datos:
SI3460DV-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:450mV @ 1mA (Min)
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-TSOP
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:SI3460DV-T1-E3-ND
SI3460DV-T1-E3TR
SI3460DVT1E3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI3460DV-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.1A (Ta)
Email:[email protected]

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