Comprar SI1302DL-T1-GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | SC-70-3 |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 480 mOhm @ 600mA, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 280mW (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | SC-70, SOT-323 |
Otros nombres: | SI1302DL-T1-GE3TR SI1302DLT1GE3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SI1302DL-T1-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.4nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 600mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 600mA (Ta) |
Email: | [email protected] |