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SH8M13GZETB
- Número de pieza:
- SH8M13GZETB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17904 Pieces
- Ficha de datos:
- SH8M13GZETB.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SH8M13GZETB, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SH8M13GZETB por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 29 mOhm @ 7A, 10V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SH8M13GZETBTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SH8M13GZETB |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A, 7A |
| Email: | [email protected] |
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