SH8K2TB1
SH8K2TB1
Número de pieza:
SH8K2TB1
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17085 Pieces
Ficha de datos:
SH8K2TB1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-SOP (5.0x6.0)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Gull Wing
Otros nombres:SH8K2TB1TR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SH8K2TB1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.1nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOP (5.0x6.0)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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