SH8J65TB1
SH8J65TB1
Número de pieza:
SH8J65TB1
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16178 Pieces
Ficha de datos:
SH8J65TB1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:29 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SH8J65TB1TR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:17 Weeks
Número de pieza del fabricante:SH8J65TB1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A
Email:[email protected]

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