SFT1342-E
Número de pieza:
SFT1342-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14249 Pieces
Ficha de datos:
SFT1342-E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.6V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:IPAK/TP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:62 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):15W (Tc)
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SFT1342-E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 12A (Ta) 15W (Tc) Through Hole IPAK/TP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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