SE10DB-M3/I
SE10DB-M3/I
Número de pieza:
SE10DB-M3/I
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 100V 3A TO263AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15143 Pieces
Ficha de datos:
SE10DB-M3/I.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.15V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):100V
Paquete del dispositivo:TO-263AC (SMPD)
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr):3µs
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Otros nombres:SE10DB-M3/IGITR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:SE10DB-M3/I
Descripción ampliada:Diode Standard 100V 3A Surface Mount TO-263AC (SMPD)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 100V 3A TO263AC
Corriente - Fuga inversa a Vr:15µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:67pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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