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SDT10S30
- Número de pieza:
- SDT10S30
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17443 Pieces
- Ficha de datos:
- SDT10S30.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SDT10S30, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SDT10S30 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 300V |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO220-2 |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | thinQ!™ |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | SDT10S30IN SDT10S30X SDT10S30XK SDT10S30XTIN SDT10S30XTIN-ND SP000013824 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SDT10S30 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 300V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 200µA @ 300V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 600pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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