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SDT04S60
- Número de pieza:
- SDT04S60
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19886 Pieces
- Ficha de datos:
- SDT04S60.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SDT04S60, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SDT04S60 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.9V @ 4A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO220-2 |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | thinQ!™ |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | SDT04S60IN SDT04S60X SDT04S60XK SDT04S60XTIN SDT04S60XTIN-ND SP000013822 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SDT04S60 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 200µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 4A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 150pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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