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SD233N36S50PSC
- Número de pieza:
- SD233N36S50PSC
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16549 Pieces
- Ficha de datos:
- SD233N36S50PSC.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SD233N36S50PSC, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SD233N36S50PSC por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 3.2V @ 1000A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 3600V (3.6kV) |
| Paquete del dispositivo: | B-8 |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 5µs |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | B-8 |
| Otros nombres: | *SD233N36S50PSC |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SD233N36S50PSC |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 3600V (3.6kV) 235A Chassis, Stud Mount B-8 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50mA @ 3600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 235A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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