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SCT2H12NYTB
- Número de pieza:
- SCT2H12NYTB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17087 Pieces
- Ficha de datos:
- SCT2H12NYTB.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SCT2H12NYTB, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SCT2H12NYTB por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 410µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-268 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| La disipación de energía (máximo): | 44W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Otros nombres: | SCT2H12NYTBDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SCT2H12NYTB |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 184pF @ 800V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14nC @ 18V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1700V (1.7kV) 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1700V (1.7kV) |
| Descripción: | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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