SA2M-E3/5AT
SA2M-E3/5AT
Número de pieza:
SA2M-E3/5AT
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18421 Pieces
Ficha de datos:
1.SA2M-E3/5AT.pdf2.SA2M-E3/5AT.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:DO-214AC (SMA)
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):1.5µs
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-214AC, SMA
Otros nombres:SA2M-E3/5AT-ND
SA2ME35AT
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:27 Weeks
Número de pieza del fabricante:SA2M-E3/5AT
Descripción ampliada:Diode Standard 1000V (1kV) 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Corriente - Fuga inversa a Vr:3µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):2A
Capacitancia Vr, F:11pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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