S6Q
Número de pieza:
S6Q
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15236 Pieces
Ficha de datos:
1.S6Q.pdf2.S6Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 6A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1200V (1.2kV)
Paquete del dispositivo:DO-4
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres:S6QGN
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:S6Q
Descripción ampliada:Diode Standard 1200V (1.2kV) 6A Chassis, Stud Mount DO-4
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io):6A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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