S4PJHM3/86A
S4PJHM3/86A
Número de pieza:
S4PJHM3/86A
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13439 Pieces
Ficha de datos:
S4PJHM3/86A.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):600V
Paquete del dispositivo:TO-277A (SMPC)
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:eSMP®
Tiempo de recuperación inversa (trr):2.5µs
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-277, 3-PowerDFN
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:S4PJHM3/86A
Descripción ampliada:Diode Standard 600V 4A Surface Mount TO-277A (SMPC)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io):4A
Capacitancia Vr, F:30pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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