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S3BHE3/9AT
- Número de pieza:
- S3BHE3/9AT
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12115 Pieces
- Ficha de datos:
- S3BHE3/9AT.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para S3BHE3/9AT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para S3BHE3/9AT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.15V @ 2.5A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | DO-214AB, (SMC) |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 2.5µs |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-214AB, SMC |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | S3BHE3/9AT |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB, (SMC) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3A |
| Capacitancia Vr, F: | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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