RZR040P01TL
RZR040P01TL
Número de pieza:
RZR040P01TL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15838 Pieces
Ficha de datos:
RZR040P01TL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TSMT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-96
Otros nombres:RZR040P01TLTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RZR040P01TL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2350pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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