RZM001P02T2L
RZM001P02T2L
Número de pieza:
RZM001P02T2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18168 Pieces
Ficha de datos:
RZM001P02T2L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:VMT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):150mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-723
Otros nombres:RZM001P02T2LTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RZM001P02T2L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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