RYM002N05T2CL
RYM002N05T2CL
Número de pieza:
RYM002N05T2CL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14297 Pieces
Ficha de datos:
1.RYM002N05T2CL.pdf2.RYM002N05T2CL.pdf3.RYM002N05T2CL.pdf4.RYM002N05T2CL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:800mV @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:VMT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):150mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-723
Otros nombres:RYM002N05T2CL-ND
RYM002N05T2CLTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RYM002N05T2CL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:26pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):0.9V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción:MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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