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RYC002N05T316
- Número de pieza:
- RYC002N05T316
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- 0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17988 Pieces
- Ficha de datos:
- RYC002N05T316.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RYC002N05T316, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RYC002N05T316 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 800mV @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 350mW (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | RYC002N05T316TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RYC002N05T316 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 26pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 50V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 50V |
| Descripción: | 0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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