RW1E014SNT2R
RW1E014SNT2R
Número de pieza:
RW1E014SNT2R
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16661 Pieces
Ficha de datos:
RW1E014SNT2R.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-WEMT
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:240 mOhm @ 1.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):700mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:RW1E014SNT2RTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RW1E014SNT2R
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:70pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.4nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 1.4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

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