RW1C025ZPT2CR
RW1C025ZPT2CR
Número de pieza:
RW1C025ZPT2CR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12866 Pieces
Ficha de datos:
1.RW1C025ZPT2CR.pdf2.RW1C025ZPT2CR.pdf3.RW1C025ZPT2CR.pdf4.RW1C025ZPT2CR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-WEMT
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:65 mOhm @ 2.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):700mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:RW1C025ZPT2CR-ND
RW1C025ZPT2CRTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RW1C025ZPT2CR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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