RTQ030P02TR
RTQ030P02TR
Número de pieza:
RTQ030P02TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13059 Pieces
Ficha de datos:
RTQ030P02TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.25W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RTQ030P02TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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