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RSD131P10TL
- Número de pieza:
- RSD131P10TL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13152 Pieces
- Ficha de datos:
- RSD131P10TL.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RSD131P10TL, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RSD131P10TL por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | CPT3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 200 mOhm @ 6.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RSD131P10TL |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 100V 13A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 100V 13A CPT3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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