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RS1E200GNTB
- Número de pieza:
- RS1E200GNTB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13598 Pieces
- Ficha de datos:
- RS1E200GNTB.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RS1E200GNTB, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RS1E200GNTB por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-HSOP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3W (Ta), 25.1W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | RS1E200GNTBTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RS1E200GNTB |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25.1W (Tc) Surface Mount 8-HSOP |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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