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RRH100P03GZETB
- Número de pieza:
- RRH100P03GZETB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13866 Pieces
- Ficha de datos:
- RRH100P03GZETB.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RRH100P03GZETB, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RRH100P03GZETB por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12.6 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 650mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | RRH100P03GZETBTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RRH100P03GZETB |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 30V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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