RRH050P03TB1
RRH050P03TB1
Número de pieza:
RRH050P03TB1
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 5A SOP8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19591 Pieces
Ficha de datos:
RRH050P03TB1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):650mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:RRH050P03TB1TR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RRH050P03TB1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.2nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 5A SOP8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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