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RR2L6SDDTE25
- Número de pieza:
- RR2L6SDDTE25
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15299 Pieces
- Ficha de datos:
- RR2L6SDDTE25.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RR2L6SDDTE25, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RR2L6SDDTE25 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 2A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | PMDS |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-214AC, SMA |
| Otros nombres: | RR2L6SDDTE25TR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RR2L6SDDTE25 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDS |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 2A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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