RQ6E030ATTCR
RQ6E030ATTCR
Número de pieza:
RQ6E030ATTCR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14964 Pieces
Ficha de datos:
RQ6E030ATTCR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:91 mOhm @ 3A, 10V
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-74, SOT-457
Otros nombres:RQ6E030ATTCRTR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RQ6E030ATTCR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:240pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.4nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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