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RQ3E180AJTB
- Número de pieza:
- RQ3E180AJTB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16631 Pieces
- Ficha de datos:
- RQ3E180AJTB.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RQ3E180AJTB, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RQ3E180AJTB por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 11mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | RQ3E180AJTBTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RQ3E180AJTB |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4290pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 39nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta), 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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