RQ1A070APTR
RQ1A070APTR
Número de pieza:
RQ1A070APTR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18690 Pieces
Ficha de datos:
RQ1A070APTR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TSMT8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):550mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RQ1A070APTR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7800pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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